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[硬體新資訊]IBM 相變記憶體研究突破,每單位現在可儲存三位元資訊[複製鏈接]

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樓主
發表於 2016-5-22 10:49 PM|只看該作者|倒序瀏覽
相變記憶體(Phase Change Memory,PCM)
是諸多號稱能「改變未來」的新記憶體技術之一,
擁有接近 DRAM 的速度、遠超過快閃記憶體的使用壽命,
以及不供電也能保存資料的特性。


在某些方面來說,它和憶阻體有點像,都是利用物質的電阻高低值來儲存資訊,
只是真正的憶阻體是用電壓來控制物質的電阻,而相變記憶體用的卻是溫度。

...
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所有積分大於負-100的壞孩子,將可獲得重新機會成為懲罰生,權限跟幼兒生一樣。

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頭香
發表於 2016-5-23 09:25 AM|只看該作者
成為伊莉的版主,你將獲得更高級和無限的權限。把你感興趣的版面一步步地發展和豐盛,那種滿足感等著你來嚐嚐喔。
不錯喔
又是一個全新的發明
不過還是要觀望  因為也不一定能成功
分享使你變得更實在,可以使其他人感到快樂,分享是我們的動力。今天就來分享你的資訊、圖片或檔案吧。

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發表於 2016-5-23 01:15 PM|只看該作者
如果你忘記伊莉的密碼,請在登入時按右邊出現的 '找回密碼'。輸入相關資料後送出,系統就會把密碼寄到你的E-Mail。
全新的發明當然是好事,但是如果叫座不叫好也沒有用,最重要的是價錢是否可行
慢慢等吧!
Always AMD!
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發表於 2016-5-26 08:38 PM|只看該作者
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新發明也是值得期待的必科技現在也遇到了許多的瓶頸
如果瀏覽伊莉時速度太慢或無法連接,可以使用其他分流瀏覽伊莉,www01.eyny.com(02,03)。

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發表於 2016-5-27 06:42 PM|只看該作者
所有積分大於負-100的壞孩子,將可獲得重新機會成為懲罰生,權限跟幼兒生一樣。
如果這個,相變的技術可以成熟的話,3C可以到很快~




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free99rhyme91 該用戶已被刪除
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發表於 2016-6-5 08:39 PM|只看該作者
回覆中加入附件並不會使你增加積分,請使用主題方式發佈附件。
目前還是在測試階段,短時間沒辦法量產,如果買得到,價格也是逼近天價,目前只能看得到卻用不到。
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發表於 2016-6-16 09:26 PM|只看該作者
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產品面世若沒有突破近的進步
恐怕要有等上十年以上的時間

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發表於 2016-6-18 10:19 PM|只看該作者
慢慢等吧  INTEL的3D NAND FLASH(垂直儲存型快閃記憶體)
之前說多猛阿  超越目前容量幾倍速度幾倍
不過是說要到2017才能"量產"
那2016computex完全沒消息...
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發表於 2016-6-19 05:53 PM|只看該作者
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又有新的技術突破了  不過我蠻好奇靠溫度儲存記憶  這還挺不可思議的
畢竟環境溫度可能還是會影響到

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發表於 2016-6-21 10:26 PM|只看該作者
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靠溫度的高低值來儲存資訊
真是太神奇了
不過這是不是需要很強的散熱技術搭配呢?




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